光刻机

光刻机按性能（光源波长和支持的工艺节点）分类：

一代-紫外光源UV光刻机：使用g线（436nm）和i线（365nm）光源，适用于较早期的集成电路制造。

二代-深紫外DUV光刻机：引入了KrF（248nm）和ArF（193nm）准分子激光光源，分辨率更高，支持更小的特征尺寸。

三代-浸没式DUV光刻机：在ArF光源的基础上，通过使用浸没液体（如水）来降低等效波长，提高分辨率，支持45nm及以下工艺节点。

四代-极紫外EUV光刻机：使用13.5nm波长的光源，能够实现更高的分辨率，支持7nm及以下工艺节点，是当前最先进的光刻技术。

五代-高数值孔径（High-NA）EUV光刻机：正在研发中，旨在通过提高光学系统的数值孔径（NA）来进一步提升分辨率和成像质量。

光刻是半导体生产中最重要的工艺步骤：

光刻是半导体器件制造的最核心步骤，直接决定集成电路的性能和良率。光刻机的核心工艺指标包括：分辨率、 聚焦深度、套刻精度、曝光功率及单位时间产能等。主流的光刻机均采用浸没系统、可编程光照、畸变修正、热效应修正、对准与表面测量等高难度技术。 光刻设备均具有高技术附加值,毛利率超过 50%。

成熟工艺领域为主，国内光刻设备市场广阔：

中国大陆以成熟制程为主的半导体产线不断扩产，产生了大量光刻设备的需求。2021年ASML 有高达27.4 亿欧元的营收来自中国大陆（其全球第三大市场）；全球光刻设备市场规模超180亿美元，显影涂胶设备市场超 30 亿美元。国产光刻曝光设备尚处于 实验阶段；显影涂胶设备已覆盖浸没式 ArFi 工艺节点，突破动能强劲。

光刻机上游零部件市场有待发掘：

光刻机的运行需光源、照明、掩膜台、 物镜、工件台等多个精密系统组合工作，全球光刻零件市场至少约 70 亿美元 （按 50%毛利率推算）。相比其他半导体零件，光刻机零件单个价值量高，技术难度大。贸易限制导致海外供应链风险剧增，国内光学企业成为不二之选， 技术能力与对应产品的盈利能力有望加速成长。

光刻机的国家队：上海微电子负责总体集成，上海光学精密机械研究所负责超精密光栅系统，北京国望光学负责光刻机物镜组，科益虹源负责光源，浙江启尔机电负责浸液系统，华卓精科负责双工件台

科益虹源公司的控股股东是中科院微电子所，持股26.6%，主要业务就是光刻机中的三大核心技术之一的光源系统，是国内第一、全球第三的193nm ArF准分子激光器企业。