Sic国产化全产业链结构会议纪要

一、6 英寸导电型产品国内厂商进度

天科合达：从产量、良率等方面均处在国内领先地位。综合良率：为 50%，在国内导电率领先地位。

天岳先进：良率比之前有所突破，比天科合达稍微低一些。客户应该是瀚天天成，国外可能是博世。

国内外的进展：比预期估计更快些，许多汽车厂，如比亚迪、蔚来、小鹏、长城等都在推出碳化硅产品，终端推动了上游企业的进展。特别是天岳的大订单，加速了产业化进展。

国内外产品对比：海外厂商 cree、26 产品性能有优势；**主要是稳定性、一致性上面的差距，**国内产品主要系数都能满足要求，但是波动性较大，这会对后道加工形成困扰，后面车规级等需要也对稳定性有要求。

二、液向法的发展：

主流是 pvt 法优势：成本低，能够快速从实验室中脱颖而出；劣势：良率低，生长速度很低；

液相法生长温度更低，PVT 需要 2300 摄氏度，而液相法仅 1000 多摄氏度，理论上可以实现生长速度更快，缺陷更少。国内中科院物理所陈小龙教授，国外住友都在研发推进。目前进展不太快，仅在 2 寸上面实现大约 1cm 的生长，此方法还有待进一步提升。

三、行业信息：

1）**8寸衬底：**Cree2024年8寸将投产；天科2020年开始研发8寸，计划2025年小批量生产。

2）**籽晶：**几乎都是自产，把自己做的好的晶锭作为籽晶自己使用。

3）**长晶炉：**基本上规模较大的衬底厂家都自己做长晶炉，没有从外面采购，都是自主研发、生产制造出来的。因为这一块有一些核心的环节，它基本上把这些核心环节（内部环节的设计、如温场等）掌握在自己手里。

4）**切割的效率：**一根 2 厘米厚度的晶体大概能切出 20 多片。基本上每家厂家情况都差不多，因为都是采用市面上主流的多线切割的方式。

5）Q: 三安光电现在做得怎么样？它的衬底对比天科、天岳是怎样的水平？碳化硅MOS 等的具体进展？

A: 据我们了解，三安光电之前可能在衬底这一块走了一些弯路，后面转去做 PVT法，目前进度不是太快，良率还有产能也不是太高。但是它的一些外延器件其实做得还可以，在这个领域内做得还比较靠前的。现在它可能还会大批量地从外面拿一些衬底来补贴外延和器件。

四、外延

到目前为止，主要 6 寸外延设备集中在意大利的 LPE 和日本的 NovellCrystal 上，这两家厂商的产能被几个企业所承包掉，所以中国相比国际的速度大概晚了 2-3 个月的时间。原本 LPE 的重点在是在氮化镓，现在碳化硅需求突然提升，它就把氮化镓的产能转移到碳化硅上。即使这样，它的产能也不足以供应国内的需求， 因为它是单枪炉，主要特点是操作简单、产能较低。现在国内主要有两大外延厂，一个是厦门的瀚天天成，还有一个是东莞的天域半导体。

1）**外延设备的单价：**一台 800 多万至 900 万不到人民币。

2）Q: 晶盛外延炉在客户那边的验证情况如何？没有没有其他竞争的玩家？

A: 晶盛的主力客户是普兴电子，大概用了 2～3 台设备，具体新增了多少订单不清楚。三安光电也有向晶盛下订单，但是具体验证结果也不情况。普兴电子和三安光电的保密做的很严，所以结果都不清楚。

五、器件

1）Q: 车用 OBC、DCDC 碳化硅的渗透率相比主逆变的渗透率快不少，如国内 L9 车型的情况，能否展开？

A: 是的。金额上一个主驱用碳化硅大约 500 美金左右，约 4500 人民币；如果用硅的话，差不多 1500 块左右，3 倍关系。在 DCDC,OBC 中，由于功率相对较小，碳化硅金额在 DCDC 约是 20 美金,OBC 约 50 美金，就渗透率来讲 DCDC、OBC 更高一点。

主要原因两方面，一方面是应用的难度。DCDC 和 OBC 是电源的应用，相比主电机驱动这个马达控制更方便。另一方面是厂商的选择，由于 DCDC，OBC 应用相对简单，供应厂家也比较多。另外主驱上来讲，一般是定制化的功率器件，目前厂家测试通过了也不敢大规模的这个当量，产能是一个极大的一个制约的这个因素。

从外因讲，它是发展中的平台，碳化硅优势是电压越高，性价比会越突出。因为碳化硅的耐压相对不敏感，IGBT，硅电能达到 1200 伏的话，电能会参数下降。

**主驱的话会做两个版本，普通版本的用一个电驱，后驱就会用那个 IGBT 的方法；如果是长驱的话，它会用两个驱动芯片，就是两个片区就是前面的话应该是 IGBT，后面的用碳化硅。**一方面供应链不敢完全的去碳化硅，另一方面在应用效果上，碳化硅的话在低速上面是非常优质，但是高速下与 IGBT 没有区别。从可靠性来讲，就目前来说其实 IGBT 经过多年发展更具有可靠性。

2）Q: 制造器件过程中各个环节如何验证？

A: 如果是车规的话，衬底要一起通过验证的，如果过程换了任何一家的话，都需要上台最终验证。因为衬底也是一个比较非常关键的一个因素。

3）Q: 做器件的这几家泰科、华润，中车、三安这几家在碳化硅器件上面进度、技术排序如何？

A: 泰科二极管比较成熟的，相对 MOS 板市场上相对较少。三安是全产业链的，二极管相当成熟， MOS 管刚刚开始量产。 华润二极管比较稳定， MOS 板稍微欠缺，有一些关键的工艺问题。中车专业相对是轨道，MOS 板其实机会不大，它针对高压模块，IGBT 加上碳化硅的话，更加有应用的背景。个人排序，MOS 管是三安>中车>华润

4）Q: 4 寸的产线追加到 6 寸的切换难吗？

A: 就是再加一条线，但设备需要重新开始，相当重头开始，一下子良率会低，需要过程。