Sic国产化全产业链结构会议纪要

会议纪要 2022-07-26 08:56

一、6 英寸导电型产品国内厂商进度

天科合达:从产量、良率等方面均处在国内领先地位。综合良率:为 50%,在国内导电率领先地位。

天岳先进:良率比之前有所突破,比天科合达稍微低一些。客户应该是瀚天天成,国外可能是博世。

国内外的进展:比预期估计更快些,许多汽车厂,如比亚迪、蔚来、小鹏、长城等都在推出碳化硅产品,终端推动了上游企业的进展。特别是天岳的大订单,加速了产业化进展。

国内外产品对比:海外厂商 cree、26 产品性能有优势;**主要是稳定性、一致性上面的差距,**国内产品主要系数都能满足要求,但是波动性较大,这会对后道加工形成困扰,后面车规级等需要也对稳定性有要求。

二、液向法的发展:

主流是 pvt 法优势:成本低,能够快速从实验室中脱颖而出;劣势:良率低,生长速度很低;

液相法生长温度更低,PVT 需要 2300 摄氏度,而液相法仅 1000 多摄氏度,理论上可以实现生长速度更快,缺陷更少。国内中科院物理所陈小龙教授,国外住友都在研发推进。目前进展不太快,仅在 2 寸上面实现大约 1cm 的生长,此方法还有待进一步提升。

三、行业信息:

1)**8寸衬底:**Cree2024年8寸将投产;天科2020年开始研发8寸,计划2025年小批量生产。

2)**籽晶:**几乎都是自产,把自己做的好的晶锭作为籽晶自己使用。

3)**长晶炉:**基本上规模较大的衬底厂家都自己做长晶炉,没有从外面采购,都是自主研发、生产制造出来的。因为这一块有一些核心的环节,它基本上把这些核心环节(内部环节的设计、如温场等)掌握在自己手里。

4)**切割的效率:**一根 2 厘米厚度的晶体大概能切出 20 多片。基本上每家厂家情况都差不多,因为都是采用市面上主流的多线切割的方式。

5)Q: 三安光电现在做得怎么样?它的衬底对比天科、天岳是怎样的水平?碳化硅MOS 等的具体进展?

A: 据我们了解,三安光电之前可能在衬底这一块走了一些弯路,后面转去做 PVT法,目前进度不是太快,良率还有产能也不是太高。但是它的一些外延器件其实做得还可以,在这个领域内做得还比较靠前的。现在它可能还会大批量地从外面拿一些衬底来补贴外延和器件。

四、外延

到目前为止,主要 6 寸外延设备集中在意大利的 LPE 和日本的 NovellCrystal 上,这两家厂商的产能被几个企业所承包掉,所以中国相比国际的速度大概晚了 2-3 个月的时间。原本 LPE 的重点在是在氮化镓,现在碳化硅需求突然提升,它就把氮化镓的产能转移到碳化硅上。即使这样,它的产能也不足以供应国内的需求, 因为它是单枪炉,主要特点是操作简单、产能较低。现在国内主要有两大外延厂,一个是厦门的瀚天天成,还有一个是东莞的天域半导体。

1)**外延设备的单价:**一台 800 多万至 900 万不到人民币。

2)Q: 晶盛外延炉在客户那边的验证情况如何?没有没有其他竞争的玩家?

A: 晶盛的主力客户是普兴电子,大概用了 2~3 台设备,具体新增了多少订单不清楚。三安光电也有向晶盛下订单,但是具体验证结果也不情况。普兴电子和三安光电的保密做的很严,所以结果都不清楚。

五、器件

1)Q: 车用 OBC、DCDC 碳化硅的渗透率相比主逆变的渗透率快不少,如国内 L9 车型的情况,能否展开?

A: 是的。金额上一个主驱用碳化硅大约 500 美金左右,约 4500 人民币;如果用硅的话,差不多 1500 块左右,3 倍关系。在 DCDC,OBC 中,由于功率相对较小,碳化硅金额在 DCDC 约是 20 美金,OBC 约 50 美金,就渗透率来讲 DCDC、OBC 更高一点。

主要原因两方面,一方面是应用的难度。DCDC 和 OBC 是电源的应用,相比主电机驱动这个马达控制更方便。另一方面是厂商的选择,由于 DCDC,OBC 应用相对简单,供应厂家也比较多。另外主驱上来讲,一般是定制化的功率器件,目前厂家测试通过了也不敢大规模的这个当量,产能是一个极大的一个制约的这个因素。

从外因讲,它是发展中的平台,碳化硅优势是电压越高,性价比会越突出。因为碳化硅的耐压相对不敏感,IGBT,硅电能达到 1200 伏的话,电能会参数下降。

**主驱的话会做两个版本,普通版本的用一个电驱,后驱就会用那个 IGBT 的方法;如果是长驱的话,它会用两个驱动芯片,就是两个片区就是前面的话应该是 IGBT,后面的用碳化硅。**一方面供应链不敢完全的去碳化硅,另一方面在应用效果上,碳化硅的话在低速上面是非常优质,但是高速下与 IGBT 没有区别。从可靠性来讲,就目前来说其实 IGBT 经过多年发展更具有可靠性。

2)Q: 制造器件过程中各个环节如何验证?

A: 如果是车规的话,衬底要一起通过验证的,如果过程换了任何一家的话,都需要上台最终验证。因为衬底也是一个比较非常关键的一个因素。

3)Q: 做器件的这几家泰科、华润,中车、三安这几家在碳化硅器件上面进度、技术排序如何?

A: 泰科二极管比较成熟的,相对 MOS 板市场上相对较少。三安是全产业链的,二极管相当成熟, MOS 管刚刚开始量产。 华润二极管比较稳定, MOS 板稍微欠缺,有一些关键的工艺问题。中车专业相对是轨道,MOS 板其实机会不大,它针对高压模块,IGBT 加上碳化硅的话,更加有应用的背景。个人排序,MOS 管是三安>中车>华润

4)Q: 4 寸的产线追加到 6 寸的切换难吗?

A: 就是再加一条线,但设备需要重新开始,相当重头开始,一下子良率会低,需要过程。