东微半导交流纪要

公司情况：

公司从事高性能功率半导体研发和产业化，主要产品是高压超级结、屏蔽栅MOS和特色IGBT工艺TGBT。1）公司是超级结最早进行国产替代同时目前份额最大的公司。很多客户从三四供做到一供。2）屏蔽栅MOS差异化战略，选择国产化低的产品。3）TGBT，公司专利，21年进入大批量生产，储能光伏逆变器电磁感应加热等。

东微核心竞争力是技术原创性，技术来源都是器件创新专利，之后和代工厂合作是客制化代工（非标准化）。终端产品体现是性能好、成本低、可靠性高。

2013年开始和华虹共同客户，2014年第一家工业客户。

Q：TGBT的性能差异点

A：国外技术使用的Micro change，目前海外第七代pitch可做到1.6-1.25微米，公司用的三栅结构，截面像三叉戟，中部栅为屏，两边为控制（薄）。国外因为双级容易被击穿，不能做太强的CS技术。公司把电场和CS分开，可以把载流子浓度提高。目前公司第一代可以对标国外第七代IGBT。第二代对标国外第八代IGBT，1）产品优点电流密度增强，第二代产品可做到500A/M2，CS浓度很高也不会击穿，芯片面积也可以做小，2）开关损耗小。目前产品已经进车载、光伏逆变、电机驱动，客户有汇川。公司有产品可替换SiC的MOS管，可提现性能优势。

Q：车载用在何处，主驱逆变吗

A：车载替代碳化硅MOS，用在OBC上，已有批量订单。主驱目前有家公司测试国产。

Q：公司产品和友商第七代产品相比，成本如何

A：成本差不多，第二代比海外第八代低一些。

Q：超级硅和传统超级结区别

A：超级硅是超级结的分支，速度方面优化更好。用来替代三代半，开关速度快。

Q：功率器件目前订单和全年需求如何，下半年是否会缓解

A：订单很饱和，比去年更紧。没有短期缓解的迹象，新能源下游需求高增+大芯片使用晶圆量大，高性能的功率半导体国内供给不足。公司领域国产化率不足10%。

Q：收入结构

A：60-70%是汽车和工业，消费30%。新能源相关占比会增加

Q：车载导入情况，在车和充电桩等应用

A：目前以OBC为主，目前产能做OBC也有点紧张。公司产品性能优势大，后续可抢占市场。公司目前覆盖头部工业和汽车客户，公司逐渐减少对单一客户依靠，加大对光伏和储能投入。其他计算等需求稳定。

Q：营收高增，原因是市场扩大还是国产替代？

A：国产替代，超结领域替代。整体市场需求也增加。比亚迪从2017年测试，去年开供，之前导入时期更长。公司从2014年工业级导入，21年是之前布局的爆发点。

Q：工业电源市场，超结MOS的格局如何

A：超结以英飞凌、ST、安森美、东芝、美国XYS等为主。东微是国内最大，占比小个位数。超结功率段是百瓦到千瓦，是车载OBC和通信电源的应用段，市场增量大。

Q：新洁能等超结产品对比，有无竞争

A：很少看到对手。公司在于华虹代工等合作底层创新。目标客户的应用领域上，产品工业级都是大电流产品，单体售价高。但目前缺货情况下，有货就行，体现不出性能差距。

Q：工艺团队人数，与代工厂合作的人员占比和后续培养

A：研发团队器件和工艺放在一起。功率半导体不光是版图，更重要的是器件结构。

Q：代工培养

A：除了华虹等，在粤芯也有12寸。国内代工话语权更重，他选Fabless客户，关注是否可以提升其工艺能力，提高其竞争力。

Q：技术团队介绍

A：公司领导之前是做存储，做功率器件降维打击。且底层物理有共通性，同时有专利和创新能力。

Q：与英飞凌竞争

A：制造能力上竞争很难，靠TGBT等类似创新来领先。

Q：TGBT是否会有海外具体新进入竞争

A：大公司有路径依赖。公司目前已经性能和海外龙头亿元，但是在晶圆代工有缺陷，比如华虹8寸线是旧设备，公司需要创新去克服设备的缺陷。

Q：12寸工厂和8寸去PK，性能和成本的区别

A：减薄到40μm的产品暂时不适合12产能，其他都转向12寸。12寸理论上看成本低，但目前有折旧的问题。

Q：国内12寸打海外8寸打的产品。

A：英飞凌做12寸功率器件最早，先发优势。供应链问题12，寸衬底外延片也需要积累。

Q：高低压毛利率差异

A：客户性质：公司和工业车规的客户定价和议价周期没有消费的快，波动小，例如消费电子MLCC翻一百倍，但是CPU不会涨这么多。好处是稳定性好。

低压MOS芯片面积小，一张8寸片上面有几万到十几万的低压MOS，晶圆成本波动对于其影响就很小，封装的成本可能占70%，所以晶圆涨价对于低压小芯片MOS影响不大。但公司是大芯片。

Q：TGBT今年出货量

A：光伏储能都表现好，下边年超十几万片。

Q：价格策略，去年情况

A：1）成本可可传导；2）毛利率稳定增加。21年陆续涨价两次。

Q：TGBT的失效率指标如何

A：失效率两个部分，封装的失效率，和环境相关度高；TGBT本身制程比较简单，不依赖华虹的设备机台能力。同一台机器做器件，我们的良率会更好。目前投1KK，不良是0。

Q：MOS、IGBT、碳化硅未来预期

A：MOS未来还是主流，IGBT面向变频驱动等大功率高电压场景，碳化硅在高温高电压，但目前成本和供应能力。未来共存。公司在三代半也投入了很大研发，和材料厂商也有联系。

Q：IGBT和超结产能分别

A：器件是新器件，华虹新产线，之前不做功率的产线，公司transfer能力也是扩产方法。

Q：英飞凌等有扩新的工厂，如何看待竞争

A：斯达是FRD，时代做动车等超高压，和公司产品不一样。国外虽然有制造优势，但最后和公司竞争还是技术的竞争，产能大了可能也是累赘。

Q：英飞凌扩产，是否供需反转

A：英飞凌第八代没发布，公司已经发布。要把现有产能变成有竞争力的产能是重要的，公司相比如国内对手，核心技术强。

Q：TGBT，下游客户接受起来有无路径依赖壁垒

A：没有推广问题。海外有无从IGBT转来做TGBT，公司专利布局可以。器件结构的专利是比较稳定的，相较而言版图容易被炒，但器件结构不会。未来可能会有竞品，但公司做的更快。