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东微半导
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MOSFET
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IGBT
哈勃投资
脑机接口
【核心关联】资料明确指出公司“深度布局脑机接口方向”。公司董事长联手中科院专家设立“东脑智合”,致力于开发自研接口芯片(超低功耗、高通量脑专用芯片)及全球独创的基于液压驱动的柔性神经触手电极技术,属于产业链上游核心零部件的突破。
资讯
【内参】
20220331
东微半导交流纪要
【公告】
20251216
苏州东微半导体股份有限公司关于实际控制人续签一致行动协议暨权益变动的提示性公告
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