后摩尔时代

国产替代，弯道超车。

加速实现产业链的国产替代，是我国半导体产业升级的必经之路。国产替代的发展机会：从模拟到数字，从设计到生产，设备，材料，EDA，同时在新兴产业领域能够实现弯道超车。摩尔定律 （Moore’s Law）：集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过18个月便会增加一倍换。然而近些年，随着芯片工艺不断演 进，硅的工艺发展趋近于其物理瓶颈，晶体管再变小变得愈加困难，成本也愈加 高昂，因此摩尔定律逐渐放缓。同时，随着 5G 及物联网的进一步发展，接入网 络的设备越来越多，对于算力及存储的需求迅速提升，以硅为主体的经典晶体管 很难维持集成电路产业的持续发展，后摩尔时代到来。后摩尔时代的创新，关注新封装、新材料、新架构

新封装：提高效率、降低成本，先进封装前景广阔。随着节点缩小，工艺变得越来越复杂且昂贵，在经典平面缩放耗尽了现有技术资源、应用又要求集成更加灵活和多样化的今天，若在芯片中还想“塞进更多元件”，就必须扩展到立体三维，从异构集成(HI)中找出路。SiP 技术集成度高，研发周期短，可实现 3D 堆叠，且能解决异质集成问题，前景广阔。Chiplett（小芯片/芯片粒/裸芯片）模式能满足现今高效能运算处理器的需求，具备设计弹性、成本节省、加速上市三大优势，SiP 等先进封装技术是 Chiplet 模式的重要实现基础，Chiplet 模式的兴起有望驱动先进封装市场快速发展。

新材料：化合物半导体助力半导体器件实现更高性能，迎来发展契机。目前9 成半导体器件由硅制造，硅材料具有集成度高、稳定性好、功耗低、成本低等优点。但在后摩尔时代，除了更高集成度的发展方向之外，通过不同材料在集成电路上实现更优质的性能是发展方向之一。同时随着 5G、新能源汽车等产业的发展，对高频、高功率、高压的半导体需求，硅基半导体由于材料特性难以完全满足，以 GaAs、GaN、SiC 为代表的第二代和第三代半导体迎来发展契机。

新架构：架构创新迎来黄金时代。以 RISC-V 为代表的开放指令集将取代传统芯片设计模式，更高效应对快速迭代、定制化与碎片化的芯片需求。为应对大数据、人工智能等高算力的应用要求，AI NPU 兴起。存内计算架构将数据存储单元和计算单元融合为一体，能显著减少数据搬运，极大地提高计算并行度和能效。长期来看，量子、光子、类脑计算也有望取得突破。