后摩尔时代

公司依托 SiP 等核心电子制造技术，切入苹果等世界知名厂商供应链

SIP封装构建技术壁垒，深度绑定中芯国际形成共振增长

自主研发不断创新，SiP、WLP、2.5D/3D 等封装技术实现量产化

公司封装技术发展路线清晰，强化 WLCSP 封装技术在大尺寸的技术优势，持续推进WLCSP、3D TSV 等先进封装技术研发，加固公司先进封装技术护城河。

与AMD密切合作，现已具备Chiplet先进封装技术大规模生产能力。

公司从事第三代半导体业务，主要是指GaN(氮化镓)材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件

公司旗下海威华芯建立了国内第一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线，目前已达到砷化镓2000片/月,氮化镓600片/月的晶圆制造能力，公司部分产品已经实现量产

公司是整个LED行业的龙头，公司的主要业务包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片；高端砷化镓LED外延、芯片；大功率氮化镓激光器；特别是封装产品应用四个产品方向的研发

国内电源管理领军者，主营充电器主控芯片，与oppo合作研发过GaN的充电器

公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链

公司的产品涉及涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生长技术

安世半导体生产的GaN产品车载GaN已经开始量产。

中国RISC-V产业联盟副理事单位，公司展开了基于RISC-V架构的CPU研发。

已经开始推进对Chiplet的布局，开始与全球领先的晶圆厂展开基于5nm Chiplet的项目合作。其中，基于arm的CPU IP Chiplet已经进入了芯片设计阶段，NPU IP Chiplet已经进入了芯片设计及实现阶段。

是中国RISC-V产业联盟成员。公司与芯来科技联合发布全球首个基于RISC-V内核的GD32V系列32位通用MCU产品。全资子公司思立微正在研发基于基于RISC-V的嵌入式AI处理芯片。

旗下艾派克微电子完成首款自主设计的基于RISC-V内核的CPU，经测试综合性能大大提升。

以完全自主知识产权处理器IP核为基础，开发的国产MCU芯片，采用RISC-V指令集。

集成电路板块预研物联网关键芯片包括基于RISC-V指令集架构的物联网微处理器MPU芯片。

阿里旗下半导体公司平头哥率先布局开源 RISC-V 架构技术，推出了更开放、更灵活的自研处理器 IP，可满 足不同场景的性能及功耗需求。全志科技已和平头哥达成战略合作，全志将基于平头哥玄铁处理器 IP 研发全新的计算芯片，该芯片将应用于工业控制、智能家居、消费电子等领域，预计未来 3 年出货 5000 万颗。

目前 MCU 产品包括基于 ARM Cortex-M0 内核的 GMF03x 系列 MCU 和基于 RISC-V 架构的高性能、低功耗 GM6x5x 系列指纹算法 MCU。

暂无相关信息

暂无相关信息

暂无相关信息

暂无相关信息

致力打造碳化硅“设备——衬底——外延”的完整产业链，中国顶尖团队致力打造碳化硅的国之重器。（1）在碳化硅长晶炉方面，公司曾与伯恩合作共同布局苹果用蓝宝石业务，依托于历史的蓝宝石业务积累，公司目前战略转型布局碳化硅业务。（2）在碳化硅晶片方面，公司储备国内最早和最顶尖的从事碳化硅晶体生长研究的技术团队——陈之战博士研究团队。与合肥市长丰县人民政府共同投资100亿元建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园

国内首条6英寸商SiC晶元生产线已经量产

拟通过定增收购国盛电子和普兴电子 100%股权。国盛电子及普兴电子是国内领先的硅外延材料供应商，碳化硅外延材料也已具备量产能力。

该研发团队由两位中国台湾的博士牵头，他们曾任职于台湾中央研究院物理研究所，曾赴日本学习碳化硅衬底制造技术，在晶体材料领域有着深厚的功底，年产12万片碳化硅半导体材料项目

半绝缘型（世界前三）+导电型衬底（募资扩产6英寸），现在将半绝缘一部分产能转换成 6 寸，一个月产出 2000 多片。预计2023~2024年100%达产，形成30万片/年。订单：7月22日签订14亿碳化硅衬底合同，为期3年，每年大概6~7万片。