| IGBT | |
| GaN | 公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链 |
| MCU | |
| 第三代半导体 | 公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链 |
| 电源IC | |
| MOSFET | |
| 集成电路产业基金二期 | 公司拟与大基金二期以货币方式共同出资21亿元，认缴控股子公司成都士兰本次新增注册资本15.91亿元。增资完成后，成都士兰注册资本将增加至31.70亿元，其中大基金二期持股比例为23.90%。 |