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SiC

三代半导体相对比,禁带宽度越大,越耐高压和高温;电子迁移率越高,可通过电流越大;电子饱和漂移速度越快,可工作频率越高,高频性能越好;热导率越高,散热性能越好。综上,SiC器件相对于Si器件的优势主要来自三个方面:降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压

与传统解决方案相比,基于SiC的解决方案使系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑。目前SiC器件在EV/HEV上应用主要是功率控制单元(PCU)、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等方面。

碳化硅的产业链:碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场,通常采用物理气相传输法(PVT法)制备碳化硅单晶,再在衬底上使用化学气相沉积法(CVD法)生成外延片,最后制成器件。在SiC器件的产业链中,主要价值量集中于上游碳化硅衬底(占比50%左右)

碳化硅衬底在整个产业链中是成本占比最高的,达到47%,外延占比23%,器件设计+器件制造占比30%

碳化硅衬底依电阻率不同分为导电型和半绝缘型两类,分别外延沉积碳化硅和氮化镓后,用于功率器件和射频器件的制作。两大产品的主要应用领域有5G通信、电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等

衬底环节:天科合达、山东天岳和同光晶体等,已经实现4英寸衬底商业化,逐步向6英寸发展;

外延环节:瀚天天成、东莞天域等;

器件环节:泰科天润、华润微、基本半导体等。

其中三安集成、世纪金光等也成功实现了产业链贯通,进行了全流程布局

概念股:

三安光电600703
公司是整个LED行业的龙头,公司的主要业务包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片;高端砷化镓LED外延、芯片;大功率氮化镓激光器;特别是封装产品应用四个产品方向的研发
SiC
露笑科技002617
致力打造碳化硅“设备——衬底——外延”的完整产业链,中国顶尖团队致力打造碳化硅的国之重器。(1)在碳化硅长晶炉方面,公司曾与伯恩合作共同布局苹果用蓝宝石业务,依托于历史的蓝宝石业务积累,公司目前战略转型布局碳化硅业务。(2)在碳化硅晶片方面,公司储备国内最早和最顶尖的从事碳化硅晶体生长研究的技术团队——陈之战博士研究团队。与合肥市长丰县人民政府共同投资100亿元建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园
华润微688396
国内首条6英寸商SiC晶元生产线已经量产
凤凰光学600071
拟通过定增收购国盛电子和普兴电子 100%股权。国盛电子及普兴电子是国内领先的硅外延材料供应商,碳化硅外延材料也已具备量产能力。
东尼电子603595
该研发团队由两位中国台湾的博士牵头,他们曾任职于台湾中央研究院物理研究所,曾赴日本学习碳化硅衬底制造技术,在晶体材料领域有着深厚的功底,年产12万片碳化硅半导体材料项目
SiC衬底
天岳先进688234
半绝缘型(世界前三)+导电型衬底(募资扩产6英寸),现在将半绝缘一部分产能转换成 6 寸,一个月产出 2000 多片。预计2023~2024年100%达产,形成30万片/年。订单:7月22日签订14亿碳化硅衬底合同,为期3年,每年大概6~7万片。