SiC

三代半导体相对比，禁带宽度越大，越耐高压和高温；电子迁移率越高，可通过电流越大；电子饱和漂移速度越快，可工作频率越高，高频性能越好；热导率越高，散热性能越好。综上，SiC器件相对于Si器件的优势主要来自三个方面：降低电能转换过程中的能量损耗、更容易实现小型化、更耐高温高压。

与传统解决方案相比，基于SiC的解决方案使系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑。目前SiC器件在EV/HEV上应用主要是功率控制单元（PCU）、逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等方面。

碳化硅的产业链：碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场，通常采用物理气相传输法（PVT法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（CVD法）生成外延片，最后制成器件。在SiC器件的产业链中，主要价值量集中于上游碳化硅衬底（占比50%左右）

碳化硅衬底在整个产业链中是成本占比最高的，达到47%，外延占比23%，器件设计+器件制造占比30%

碳化硅衬底依电阻率不同分为导电型和半绝缘型两类，分别外延沉积碳化硅和氮化镓后，用于功率器件和射频器件的制作。两大产品的主要应用领域有5G通信、电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等

衬底环节：天科合达、山东天岳和同光晶体等，已经实现4英寸衬底商业化，逐步向6英寸发展；

外延环节：瀚天天成、东莞天域等；

器件环节：泰科天润、华润微、基本半导体等。

其中三安集成、世纪金光等也成功实现了产业链贯通，进行了全流程布局

概念股
三安光电 600703
公司是整个LED行业的龙头，公司的主要业务包括高端氮化镓LED衬底、外延、芯片；高端砷化镓LED外延、芯片；大功率氮化镓激光器；特别是封装产品应用四个产品方向的研发
露笑科技 002617
SiC
致力打造碳化硅“设备——衬底——外延”的完整产业链，中国顶尖团队致力打造碳化硅的国之重器。（1）在碳化硅长晶炉方面，公司曾与伯恩合作共同布局苹果用蓝宝石业务，依托于历史的蓝宝石业务积累，公司目前战略转型布局碳化硅业务。（2）在碳化硅晶片方面，公司储备国内最早和最顶尖的从事碳化硅晶体生长研究的技术团队——陈之战博士研究团队。与合肥市长丰县人民政府共同投资100亿元建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园
华润微 688396
国内首条6英寸商SiC晶元生产线已经量产
凤凰光学 600071
拟通过定增收购国盛电子和普兴电子 100%股权。国盛电子及普兴电子是国内领先的硅外延材料供应商，碳化硅外延材料也已具备量产能力。
东尼电子 603595
该研发团队由两位中国台湾的博士牵头，他们曾任职于台湾中央研究院物理研究所，曾赴日本学习碳化硅衬底制造技术，在晶体材料领域有着深厚的功底，年产12万片碳化硅半导体材料项目
天岳先进 688234
SiC衬底
半绝缘型（世界前三）+导电型衬底（募资扩产6英寸），现在将半绝缘一部分产能转换成 6 寸，一个月产出 2000 多片。预计2023~2024年100%达产，形成30万片/年。订单：7月22日签订14亿碳化硅衬底合同，为期3年，每年大概6~7万片。