美国商务部工业与安全局（BIS）发布最新出口管控规则，进一步强化对中国半导体行业的全面限制。美国限制的思路有一定变化，对HBM、EDA、国内设备厂商等限制超出预期，未见AI芯片（300mm²）、某DRAM存储大厂、龙头设备厂商中微等之前盛传的限制。

全面封堵的强化领域

1. 对高带宽内存（HBM）的强化封堵

此次规则从多个层面对HBM实施了更细致的管控：

新增技术标准：

HBM的管控参数不再依赖传统的技术节点（如18nm），而是通过存储单元面积（<0.0019μm²）和存储密度（>0.288Gb/mm²）等性能指标来全面覆盖。

包括三维堆叠技术（如HBM3）的存储芯片被纳入管控范围。

封锁生产设备：

文件列举了ECCN 3B001、3B002等项下的关键设备，包括HBM的封装与测试设备。

2. 对EDA工具的封锁

此次规则强化了对EDA软件和相关密钥的出口限制：

软件密钥明确管控：

用于电子设计自动化（EDA）工具的授权密钥被明确列入管控清单，阻断中国企业获取或升级EDA工具的可能性。

从设计到制造全面覆盖：

新规则要求出口方对EDA的最终用途进行严格审查，避免工具被用于“先进节点IC”的设计。

3. 对国内设备厂商的全方位打击

此次规则对国内设备厂商形成了大面积封杀：列入清单的140家中国半导体企业（截图版）

关键设备分类：

涉及蚀刻机、光刻机、清洗机、涂胶机等核心设备，这些设备被细化到ECCN分类下的多个条目进行限制。

特别新增了部分国产设备的出口许可要求，即使非直接使用美国技术的设备也被间接列管。

全链条封锁：

文件明确指出，国产设备中若含有依赖美国技术的核心零部件（如光刻胶、控制模块），同样被纳入管控范围。

4. 针对国内设备厂商的“红旗规则”

新增的红旗规则进一步细化了对国内设备厂商的审查：

物理连接设施限制：

若国内生产设施中包含用于先进节点IC的生产线，即使其他设备用于传统工艺，也需接受严格审查。

对新客户的审查：

若国内企业采购设备被怀疑用于支持实体清单上的公司，其供应链上下游均可能受到限制。

几个意外：未被封杀的领域

1. 对中国某DRAM存储大厂的制裁未升级

尽管此前外界盛传美国可能会全面封杀中国某DRAM存储大厂，但此并没见到该公司。

2. 对AI芯片的管控未见新规

之前传闻，芯片面积在300mm²及以上；2，使用了HBM或CoWoS工艺；3，晶体管数大于300亿个要被限制，但这次未见到。

延续现有规则：

AI芯片的管控仍然通过其制造设备（如光刻机）、设计工具（如EDA）及关键材料（如HBM）间接施压。

潜在解释：

美国可能认为现有对先进节点IC及相关设备的管控已足够覆盖AI芯片的生产能力，无需单独新增规则。

重要变化：

1、重新定义“先进节点集成电路”（Advanced-Node ICs）的技术参数

原有定义的局限性：

之前的定义主要基于生产节点（如18纳米以下工艺），但并未涵盖通过三维堆叠或其他新技术提升性能的芯片。

某些高性能存储（如高带宽内存HBM）因不符合传统参数而未被有效管控。

新增定义的核心标准：

存储单元面积：小于0.0019平方微米的DRAM芯片。

存储密度：高于0.288Gb/mm²。

通过这两个标准，新的定义覆盖了通过三维堆叠等方式提升存储密度的芯片（如HBM）。

具体影响：

三维堆叠的HBM芯片原本可能避开18纳米的节点定义，但新参数下无法绕开

2、对“先进节点集成电路”（Advanced-Node ICs）生产新增直接产品规则（FDP Rules）及重新定义“先进节点ICs

文件中新增了两个关键的直接产品规则（FDP Rules），分别针对用于生产先进节点IC的半导体制造设备（SME）和涉及实体清单中特定实体的物品。以下是具体分析：

FDP规则的核心目标

限制范围：新增规则覆盖了依赖美国技术、软件或工具直接生产的外国商品，无论这些商品是否在美国境内生产，只要符合特定条件，均需遵守出口管理条例（EAR）。

针对对象：文件明确指出，这些规则主要针对特定实体清单上的公司以及那些参与“先进节点IC”生产的设备、技术和材料供应商。

规则逻辑：

关于本次美国制菜的额外内容